近日，半导办S半导华大半导体与湖南大学在上海举办SiC功率半导体技术研讨会，体湖体技讨共同探讨SiC功率半导体在设计、学成制造、功举功率材料等领域的术研最新进展及挑战。

会上，半导办S半导湖南大学电气与信息工程学院王俊教授详细介绍了SiC功率半导体芯片设计与应用领域的体湖体技讨热点问题及团队所取得的最新研究成果，翟东媛副教授围绕缺陷测试方面的学成前沿趋势和团队已有的研究基础，进行系统而深入的功举功率阐述。

公司4位技术专家也带来精彩的术研分享，结合行业专业会议ICSCRM的半导办S半导热点议题，就企业SiC MOSFET工艺、体湖体技讨电动汽车用SiC MOSFET及SiC材料领域的学成最新进展和挑战等话题进行深入剖析。

本次会议为公司与湖南大学搭建了一个高效的功举功率交流协作平台，双方开展热烈讨论与交流，术研气氛活跃、互动频繁，取得良好效果。

(责任编辑：探索)